光耦电路设计中需要注意什么？
发布时间：2019-06-10
在光耦电路设计中，有两个参数常常被人忽视，需要格外注意，
一个是反向电压Vr(Reverse Voltage )，是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。如，在使用交流脉冲驱动LED时，需要增加保护电路。
另外一个参数是光耦的电流传输比(current transfer ratio，简称CTR),是指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。
除上述两个参数外，光耦还有几个参数是比较重要的，如：
1)正向工作电压Vf(Forward Voltage)，Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。
2)集电极电流Ic(Collector Current)光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。
3)C-E饱和电压Vce(sat)(C-E Saturation Voltage)，即光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。
4)上升时间Tr (Rise Time)& 下降时间Tf(Fall Time)，其定义与典型测试方法如下图所示，它们反映了工作在开关状态的光耦，其开关速度情况。
